Name: UPA2815T1S-E2-AT
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-UPA2815T1S-E2-ATTR-ND
Price: 37.3527 CZK
Availability: InStock

P-kanál 30 V 21A (Tc) 1,5W (Ta) Montáž na povrch 8-HWSON (3,3x3,3)

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

UPA2815T1S-E2-AT
Číslo produktu DigiKey	559-UPA2815T1S-E2-ATTR-ND - Páska a cívka (TR) 559-UPA2815T1S-E2-ATCT-ND - Řezaná páska (CT) 559-UPA2815T1S-E2-ATDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce	UPA2815T1S-E2-AT
Popis	MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 21A (Tc) 1,5W (Ta) Montáž na povrch 8-HWSON (3,3x3,3)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	UPA2815T1S-E2-AT Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 47 nC @ 10 V
Mfr Renesas Electronics Corporation	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1760 pF @ 10 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 1,5W (Ta)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-HWSON (3,3x3,3)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 21A (Tc)	Pouzdro 8-PowerWDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu UPA2815
Rds zap (max) při Id, Vgs 11mOhm při 21A, 10V