TPH3206LSB Renesas Electronics Corporation | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

TPH3206LSB je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

Renesas Electronics Corporation

Skladem : 2 366

Jednotková cena : 106,25000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TPH3206LSB
Číslo produktu DigiKey	TPH3206LSB-ND
Výrobce	Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce	TPH3206LSB
Popis	GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 16A (Tc) 81W (Tc) Montáž na povrch 3-PQFN (8x8)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,6V při 500µA
Mfr Renesas Electronics Corporation	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 6.2 nC @ 4.5 V
Balení Trubice	Vgs (max) ±18V
Stav součásti Zastaralé	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 720 pF @ 480 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 81W (Tc)
Technologie GaNFET (Galium nitrid)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 16A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 3-PQFN (8x8)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro 3-PowerDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 180mOhm při 10A, 8V