PQFN_8x8
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
PQFN_8x8
Welcome to the GaN Revolution!
Transform talks latest developments in GaN technology

TPH3206LDGB

Číslo produktu DigiKey
TPH3206LDGB-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
TPH3206LDGB
Popis
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 16A (Tc) 81W (Tc) Montáž na povrch 3-PQFN (8x8)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
180mOhm při 11A, 8V
Vgs(th) (max) při Id
2,6V při 500µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±18V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
760 pF @ 480 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
81W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
3-PQFN (8x8)
Pouzdro
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí.