TP65H300G4LSG-TR Renesas Electronics Corporation | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TP65H300G4LSG-TR
Číslo produktu DigiKey	1707-TP65H300G4LSG-TR-ND - Páska a cívka (TR) 1707-TP65H300G4LSG-TRCT-ND - Řezaná páska (CT) 1707-TP65H300G4LSG-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce	TP65H300G4LSG-TR
Popis	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 6,5A (Tc) 21W (Tc) Montáž na povrch 3-PQFN (8x8)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TP65H300G4LSG-TR Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Renesas Electronics Corporation
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Ukončeno ve společnosti Digi-Key
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	6,5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	8V
Rds zap (max) při Id, Vgs	312mOhm při 5A, 8V
Vgs(th) (max) při Id	2,6V při 500µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	9.6 nC @ 8 V
Vgs (max)	±18V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	760 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	21W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	3-PQFN (8x8)
Pouzdro	3-PowerDFN
Základní číslo produktu	TP65H300