RJK2511DPK-00#T0 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar

IXTQ82N25P
IXYS
Skladem : 300
Jednotková cena : 228,67000 Kč
Katalogový list

Similar

IXTQ88N30P
IXYS
Skladem : 691
Jednotková cena : 303,42000 Kč
Katalogový list
Zobrazit a porovnat všechny náhrady
N-kanál 250 V 65A (Ta) 200W (Tc) Průchozí otvor TO-3P
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RJK2511DPK-00#T0

Číslo produktu DigiKey
RJK2511DPK-00#T0-ND
Výrobce
Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce
RJK2511DPK-00#T0
Popis
MOSFET N-CH 250V 65A TO3P
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 250 V 65A (Ta) 200W (Tc) Průchozí otvor TO-3P
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
RJK2511DPK-00#T0 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
250 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
65A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
34mOhm při 32,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
-
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
4900 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
200W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-3P
Pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základní číslo produktu
RJK2511
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.