Name: RJK0332DPB-01#J0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: RJK0332DPB-01#J0TR-ND
Price: 72.4064 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RJK0332DPB-01#J0
Číslo produktu DigiKey	RJK0332DPB-01#J0TR-ND - Páska a cívka (TR) RJK0332DPB-01#J0CT-ND - Řezaná páska (CT)
Výrobce	Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce	RJK0332DPB-01#J0
Popis	MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 35A (Ta) 45W (Tc) Montáž na povrch LFPAK
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 1mA
Mfr Renesas Electronics Corporation	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 14 nC @ 4.5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT)	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Datum posledního nákupu	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2180 pF @ 10 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 45W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 35A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra LFPAK
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro SC-100, SOT-669
Rds zap (max) při Id, Vgs 4,7mOhm při 17,5A, 10V	Základní číslo produktu RJK0332

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (3)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
PSMN4R0-30YL,115	Nexperia USA Inc.	110	1727-4167-1-ND	27,72000 Kč	Similar
STL66N3LLH5	STMicroelectronics	2 940	497-12272-1-ND	44,73000 Kč	Similar
TPH7R204PL,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	16 835	TPH7R204PLLQCT-ND	26,67000 Kč	Similar