Name: RJK0332DPB-01#J0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: RJK0332DPB-01#J0TR-ND
Price: 68.002 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RJK0332DPB-01#J0
Číslo produktu DigiKey	RJK0332DPB-01#J0TR-ND - Páska a cívka (TR) RJK0332DPB-01#J0CT-ND - Řezaná páska (CT)
Výrobce	Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce	RJK0332DPB-01#J0
Popis	MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 35A (Ta) 45W (Tc) Montáž na povrch LFPAK
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Renesas Electronics Corporation
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT)
Stav součásti	Datum posledního nákupu
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	35A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	4,7mOhm při 17,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	14 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2180 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	45W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	LFPAK
Pouzdro	SC-100, SOT-669
Základní číslo produktu	RJK0332