Name: NP50P06KDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP50P06KDG-E1-AYTR-ND
Price: 97.405 CZK
Availability: InStock

P-kanál 60 V 50A (Tc) 1,8W (Ta), 90W (Tc) Montáž na povrch TO-263

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NP50P06KDG-E1-AY
Číslo produktu DigiKey	559-NP50P06KDG-E1-AYTR-ND - Páska a cívka (TR) 559-NP50P06KDG-E1-AYCT-ND - Řezaná páska (CT) 559-NP50P06KDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce	NP50P06KDG-E1-AY
Popis	MOSFET P-CH 60V 50A TO263
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 50A (Tc) 1,8W (Ta), 90W (Tc) Montáž na povrch TO-263
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NP50P06KDG-E1-AY Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 95 nC @ 10 V
Mfr Renesas Electronics Corporation	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 5000 pF @ 10 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 1,8W (Ta), 90W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 50A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra TO-263
Rds zap (max) při Id, Vgs 17mOhm při 25A, 10V	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 1mA	Základní číslo produktu NP50P06