N-kanál 100 V 90A (Tc) 136W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3-313
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPD90N10S406ATMA1

Číslo produktu DigiKey
448-IPD90N10S406ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
448-IPD90N10S406ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
448-IPD90N10S406ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
IPD90N10S406ATMA1
Popis
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Standardní dodací lhůta výrobce
18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 90A (Tc) 136W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3-313
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IPD90N10S406ATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
90A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
6,7mOhm při 90A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,5V při 90µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
4870 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
136W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO252-3-313
Pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu
IPD90
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 3 578
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
164,26000 Kč64,26 Kč
1041,59700 Kč415,97 Kč
10028,66200 Kč2 866,20 Kč
50023,12996 Kč11 564,98 Kč
1 00021,43016 Kč21 430,16 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
2 50017,50828 Kč43 770,70 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:64,26000 Kč
Jednotková cena s DPH:77,75460 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
2 Položky
AUIR2085STR

AUIR2085STR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

87,26000 Kč
TLE9180D31QKXUMA1

TLE9180D31QKXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 64LQFP

Infineon Technologies

143,72000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
10 Položky
TLV9002QDRQ1

TLV9002QDRQ1

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

Texas Instruments

14,99000 Kč
FDBL86066-F085

FDBL86066-F085

MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF

onsemi

94,65000 Kč
VSSAF5M10HM3/H

VSSAF5M10HM3/H

DIODE SCHOTTKY 100V 5A DO221AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,24000 Kč
4580 03 MP T0,8 V12VP12

4580 03 MP T0,8 V12VP12

HIGH CURENT CONTACT 0.8-1.5 MM

Lumberg Inc

27,51000 Kč
CAV25M01VE-GT3

CAV25M01VE-GT3

IC EEPROM 1MBIT SPI 10MHZ 8SOIC

onsemi

29,77000 Kč
NRVBSS16HE

NRVBSS16HE

DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD323HE

onsemi

16,01000 Kč
NSVR0230M2T5G

NSVR0230M2T5G

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD723

onsemi

9,24000 Kč
TPSMF4L60A

TPSMF4L60A

TVS DIODE 60VWM 96.8VC SOD123F

Littelfuse Inc.

10,06000 Kč
BSP372NH6327XTSA1

BSP372NH6327XTSA1

MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4

Infineon Technologies

24,84000 Kč
NVR5198NLT1G

NVR5198NLT1G

MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3

onsemi

12,52000 Kč