2SK1317-E je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


onsemi
Skladem : 0
Jednotková cena : 127,04000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 56
Jednotková cena : 93,86000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 137,54000 Kč
Katalogový list
N-kanál 1500 V 2,5A (Ta) 100W (Tc) Průchozí otvor TO-3P
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

2SK1317-E

Číslo produktu DigiKey
2SK1317-E-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
2SK1317-E
Popis
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 1500 V 2,5A (Ta) 100W (Tc) Průchozí otvor TO-3P
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
2SK1317-E Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1500 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
15V
Rds zap (max) při Id, Vgs
12Ohm při 2A, 15V
Vgs(th) (max) při Id
-
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
990 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
100W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-3P
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.