Name: SVD2955T4G
Brand: onsemi
SKU: SVD2955T4GOSTR-ND
Price: 42.7856 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SVD2955T4G
Číslo produktu DigiKey	SVD2955T4GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) SVD2955T4GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) SVD2955T4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	SVD2955T4G
Popis	MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	15 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 12A (Ta) 55W (Tj) Montáž na povrch DPAK
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SVD2955T4G Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	12A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	180mOhm při 6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	750 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	55W (Tj)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	DPAK
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	SVD2955