Name: NVTFS5116PLTWG
Brand: onsemi
SKU: NVTFS5116PLTWGOSTR-ND
Price: 45.738 CZK
Availability: InStock

NVTFS5116PLTWG
Číslo produktu DigiKey	NVTFS5116PLTWGOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NVTFS5116PLTWGOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NVTFS5116PLTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NVTFS5116PLTWG
Popis	MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 6A (Ta) 3,2W (Ta), 21W (Tc) Montáž na povrch 8-WDFN (3,3x3,3)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NVTFS5116PLTWG Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	6A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	52mOhm při 7A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1258 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,2W (Ta), 21W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-WDFN (3,3x3,3)
Pouzdro	8-PowerWDFN
Základní číslo produktu	NVTFS5116

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
5 000	9,01574 Kč	45 078,70 Kč
10 000	8,69580 Kč	86 958,00 Kč

Jednotková cena bez DPH:	37,80000 Kč
Jednotková cena s DPH:	45,73800 Kč

NVTFS5116PLTWG