Name: NVMFS6H858NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS6H858NLT1GTR-ND
Price: 32.5248 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NVMFS6H858NLT1G
Číslo produktu DigiKey	488-NVMFS6H858NLT1GTR-ND - Páska a cívka (TR) 488-NVMFS6H858NLT1GCT-ND - Řezaná páska (CT) 488-NVMFS6H858NLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NVMFS6H858NLT1G
Popis	MOSFET N-CH 80V 8.7A/30A 5DFN
Standardní dodací lhůta výrobce	36 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 8,7A (Ta), 30A (Tc) 3,5W (Ta), 42W (Tc) Montáž na povrch 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 12 nC @ 10 V
Mfr onsemi	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 623 pF @ 40 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 3,5W (Ta), 42W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 8,7A (Ta), 30A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Rds zap (max) při Id, Vgs 19,5mOhm při 5A, 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN, 5 přívodů
Vgs(th) (max) při Id 2V při 30µA	Základní číslo produktu NVMFS6