Name: NVMFS6H852NLWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS6H852NLWFT1GTR-ND
Price: 37.4374 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NVMFS6H852NLWFT1G
Číslo produktu DigiKey	488-NVMFS6H852NLWFT1GTR-ND - Páska a cívka (TR) 488-NVMFS6H852NLWFT1GCT-ND - Řezaná páska (CT) 488-NVMFS6H852NLWFT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NVMFS6H852NLWFT1G
Popis	MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
Standardní dodací lhůta výrobce	19 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 11A (Ta), 42A (Tc) 3,6W (Ta), 54W (Tc) Montáž na povrch, Smáčitelný bok 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	11A (Ta), 42A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	13,1mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 45µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	906 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,6W (Ta), 54W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch, Smáčitelný bok
Dodávaná velikost pouzdra	5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Pouzdro	8-PowerTDFN, 5 přívodů
Základní číslo produktu	NVMFS6