Name: NVMFS6H852NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS6H852NLT1GTR-ND
Price: 36.5904 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NVMFS6H852NLT1G
Číslo produktu DigiKey	488-NVMFS6H852NLT1GTR-ND - Páska a cívka (TR) 488-NVMFS6H852NLT1GCT-ND - Řezaná páska (CT) 488-NVMFS6H852NLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NVMFS6H852NLT1G
Popis	MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
Standardní dodací lhůta výrobce	30 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 11A (Ta), 42A (Tc) 3,6W (Ta), 54W (Tc) Montáž na povrch 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 17 nC @ 10 V
Mfr onsemi	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 906 pF @ 40 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 3,6W (Ta), 54W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 11A (Ta), 42A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Rds zap (max) při Id, Vgs 13,1mOhm při 10A, 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN, 5 přívodů
Vgs(th) (max) při Id 2V při 45µA	Základní číslo produktu NVMFS6