Name: NVMFS016N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS016N10MCLT1GTR-ND
Price: 32.7668 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NVMFS016N10MCLT1G
Číslo produktu DigiKey	488-NVMFS016N10MCLT1GTR-ND - Páska a cívka (TR) 488-NVMFS016N10MCLT1GCT-ND - Řezaná páska (CT) 488-NVMFS016N10MCLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NVMFS016N10MCLT1G
Popis	PTNG 100V LL SO8FL
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 10,9A (Ta), 46A (Tc) 3,6W (Ta), 64W (Tc) Montáž na povrch 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	10,9A (Ta), 46A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	14mOhm při 11A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 64µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1250 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,6W (Ta), 64W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pouzdro	8-PowerTDFN, 5 přívodů
Základní číslo produktu	NVMFS0