Name: NVBLS1D1N08H
Brand: onsemi
SKU: 488-NVBLS1D1N08HTR-ND
Price: 222.3617 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NVBLS1D1N08H
Číslo produktu DigiKey	488-NVBLS1D1N08HTR-ND - Páska a cívka (TR) 488-NVBLS1D1N08HCT-ND - Řezaná páska (CT) 488-NVBLS1D1N08HDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NVBLS1D1N08H
Popis	MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 41A (Ta), 351A (Tc) 4,2W (Ta), 311W (Tc) Montáž na povrch 8-HPSOF
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	41A (Ta), 351A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,05mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 650µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	166 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	11200 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	4,2W (Ta), 311W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-HPSOF
Pouzdro	8-PowerSFN
Základní číslo produktu	NVBLS1