Name: NTTFD9D0N06HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFD9D0N06HLTWGTR-ND
Price: 48.642 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTTFD9D0N06HLTWG
Číslo produktu DigiKey	488-NTTFD9D0N06HLTWGTR-ND - Páska a cívka (TR) 488-NTTFD9D0N06HLTWGCT-ND - Řezaná páska (CT) 488-NTTFD9D0N06HLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTTFD9D0N06HLTWG
Popis	MOSFET 2N-CH 60V 9A 12WQFN
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 9A (Ta), 38A (Tc) 1,7W (Ta), 26W (Tc) Montáž na povrch 12-WQFN (3,3 x 3,3)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NTTFD9D0N06HLTWG Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	9A (Ta), 38A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	9mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 50µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	13,5nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	948pF při 30V
Výkon - max	1,7W (Ta), 26W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	12-PowerWQFN
Dodávaná velikost pouzdra	12-WQFN (3,3 x 3,3)
Základní číslo produktu	NTTFD9