Name: NTMFS0D7N03CGT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS0D7N03CGT1GTR-ND
Price: 72.3338 CZK
Availability: OutOfStock

NTMFS0D7N03CGT1G není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.

Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent

onsemi

Skladem : 0

Jednotková cena : 59,78000 Kč

Similar

Renesas Electronics Corporation

Skladem : 4 998

Jednotková cena : 53,47000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTMFS0D7N03CGT1G
Číslo produktu DigiKey	488-NTMFS0D7N03CGT1GTR-ND - Páska a cívka (TR) 488-NTMFS0D7N03CGT1GCT-ND - Řezaná páska (CT) 488-NTMFS0D7N03CGT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTMFS0D7N03CGT1G
Popis	MOSFET N-CH 30V 59A/409A 5DFN
Standardní dodací lhůta výrobce	30 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 59A (Ta), 409A (Tc) 4W (Ta), 187W (Tc) Montáž na povrch 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	59A (Ta), 409A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	0,65mOhm při 30A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,2V při 280µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	147 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	12300 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	4W (Ta), 187W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pouzdro	8-PowerTDFN, 5 přívodů
Základní číslo produktu	NTMFS0