Name: NTLJS4114NT1G
Brand: onsemi
SKU: NTLJS4114NT1GOSTR-ND
Price: 34.6423 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTLJS4114NT1G
Číslo produktu DigiKey	NTLJS4114NT1GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NTLJS4114NT1GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NTLJS4114NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTLJS4114NT1G
Popis	MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 3,6A (Ta) 700mW (Ta) Montáž na povrch 6-WDFN (2x2)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	µCool™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	3,6A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,8V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	35mOhm při 2A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	13 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	650 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	700mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	6-WDFN (2x2)
Pouzdro	6-WDFN podložka pro odvod tepla
Základní číslo produktu	NTLJS4114