Name: NTLJS4114NT1G
Brand: onsemi
SKU: NTLJS4114NT1GOSTR-ND
Price: 36.8445 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTLJS4114NT1G
Číslo produktu DigiKey	NTLJS4114NT1GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NTLJS4114NT1GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NTLJS4114NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTLJS4114NT1G
Popis	MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 3,6A (Ta) 700mW (Ta) Montáž na povrch 6-WDFN (2x2)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 13 nC @ 4.5 V
Řada µCool™	Vgs (max) ±12V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 650 pF @ 15 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 700mW (Ta)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Dodávaná velikost pouzdra 6-WDFN (2x2)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 3,6A (Ta)	Pouzdro 6-WDFN podložka pro odvod tepla
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 1,8V, 4,5V	Základní číslo produktu NTLJS4114
Rds zap (max) při Id, Vgs 35mOhm při 2A, 4,5V