Name: NTH4L040N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L040N120M3S-ND
Price: 414.6186 CZK
Availability: InStock

N-kanál 1200 V 54A (Tc) 231W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4L

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTH4L040N120M3S
Číslo produktu DigiKey	5556-NTH4L040N120M3S-ND
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTH4L040N120M3S
Popis	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Standardní dodací lhůta výrobce	19 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 54A (Tc) 231W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4L
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,4V při 10mA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 75 nC @ 18 V
Balení Trubice	Vgs (max) +22V, -10V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1700 pF @ 800 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 231W (Tc)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200 V	Způsob montáže Průchozí otvor
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 54A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TO-247-4L
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 18V	Pouzdro TO-247-4
Rds zap (max) při Id, Vgs 54mOhm při 20A, 18V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 2 059

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	342,66000 Kč	342,66 Kč
30	210,34167 Kč	6 310,25 Kč
120	181,37508 Kč	21 765,01 Kč
510	167,76573 Kč	85 560,52 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.