Name: NTE4153NT1G
Brand: onsemi
SKU: NTE4153NT1GOSTR-ND
Price: 11.4345 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTE4153NT1G
Číslo produktu DigiKey	NTE4153NT1GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NTE4153NT1GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NTE4153NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTE4153NT1G
Popis	MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
Standardní dodací lhůta výrobce	19 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 20 V 915mA (Ta) 300mW (Tj) Montáž na povrch SC-89-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NTE4153NT1G Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1,1V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 1.82 nC @ 4.5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±6V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 110 pF @ 16 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 300mW (Tj)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 915mA (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra SC-89-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 1,5V, 4,5V	Pouzdro SC-89, SOT-490
Rds zap (max) při Id, Vgs 230mOhm při 600mA, 4,5V	Základní číslo produktu NTE4153