Name: NTE4151PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTE4151PT1GOSTR-ND
Price: 13.7214 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTE4151PT1G
Číslo produktu DigiKey	NTE4151PT1GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NTE4151PT1GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NTE4151PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTE4151PT1G
Popis	MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
Standardní dodací lhůta výrobce	13 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 20 V 760mA (Tj) 313mW (Tj) Montáž na povrch SC-89-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NTE4151PT1G Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1,2V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 2.1 nC @ 4.5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±6V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 156 pF @ 5 V
Typ tranzistoru FET P-kanál	Rozptylový výkon (Max) 313mW (Tj)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 760mA (Tj)	Dodávaná velikost pouzdra SC-89-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 1,8V, 4,5V	Pouzdro SC-89, SOT-490
Rds zap (max) při Id, Vgs 360mOhm při 350mA, 4,5V	Základní číslo produktu NTE4151