N-kanál 650 V 55A (Tc) 227W (Tc) Montáž na povrch 8-HPSOF
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTBL032N065M3S

Číslo produktu DigiKey
488-NTBL032N065M3S-ND
Výrobce
onsemi
Číslo produktu výrobce
NTBL032N065M3S
Popis
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Standardní dodací lhůta výrobce
21 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 55A (Tc) 227W (Tc) Montáž na povrch 8-HPSOF
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
onsemi
Řada
-
Balení
Hromadné balení
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
55A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
15V, 18V
Rds zap (max) při Id, Vgs
44mOhm při 15A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 7,5mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
55 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1396 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
227W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
8-HPSOF
Pouzdro
8-PowerSFN
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 591
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Hromadné balení
Množství Jednotková cena Celk. cena
1175,96000 Kč175,96 Kč
10120,00400 Kč1 200,04 Kč
10088,30920 Kč8 830,92 Kč
50076,60070 Kč38 300,35 Kč
Jednotková cena bez DPH:175,96000 Kč
Jednotková cena s DPH:212,91160 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
2 Položky
NTHL023N065M3S

NTHL023N065M3S

SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S

onsemi

239,38000 Kč
NTMT045N065SC1

NTMT045N065SC1

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3

onsemi

263,10000 Kč