IRLR110ATF je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 9,05299 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 148
Jednotková cena : 42,63000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 10 729
Jednotková cena : 42,63000 Kč
Katalogový list
N-kanál 100 V 4,7A (Tc) 2,5W (Ta), 22W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 100 V 4,7A (Tc) 2,5W (Ta), 22W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
TO-252AA

IRLR110ATF

Číslo produktu DigiKey
IRLR110ATF-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IRLR110ATF
Popis
MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 4,7A (Tc) 2,5W (Ta), 22W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
5V
Rds zap (max) při Id, Vgs
440mOhm při 2,35A, 5V
Vgs(th) (max) při Id
2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
8 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
235 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
2,5W (Ta), 22W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
TO-252AA
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.
Nezrušitelné/nevratné