FQPF6N80 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 309
Jednotková cena : 59,75000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 763
Jednotková cena : 44,55000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 984
Jednotková cena : 61,59000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 6 019
Jednotková cena : 54,00000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 791
Jednotková cena : 68,37000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 164
Jednotková cena : 79,46000 Kč
Katalogový list
N-kanál 800 V 3,3A (Tc) 51W (Tc) Průchozí otvor TO-220F-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FQPF6N80

Číslo produktu DigiKey
FQPF6N80-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FQPF6N80
Popis
MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 800 V 3,3A (Tc) 51W (Tc) Průchozí otvor TO-220F-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FQPF6N80 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
800 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
1,95Ohm při 1,65A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1500 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
51W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220F-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.
Nezrušitelné/nevratné