FQPF5N60C je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


onsemi
Skladem : 282
Jednotková cena : 74,33000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 398
Jednotková cena : 37,80000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 1 673
Jednotková cena : 35,70000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 864
Jednotková cena : 33,39000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 20,60597 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 0
Jednotková cena : 35,49000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 29
Jednotková cena : 35,70000 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 4,5A (Tc) 33W (Tc) Průchozí otvor TO-220F-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FQPF5N60C

Číslo produktu DigiKey
FQPF5N60CFS-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FQPF5N60C
Popis
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 4,5A (Tc) 33W (Tc) Průchozí otvor TO-220F-3
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
2,5Ohm při 2,25A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
670 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
33W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220F-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.