FQPF19N20 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 324
Jednotková cena : 45,78000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 723
Jednotková cena : 38,85000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 968
Jednotková cena : 44,94000 Kč
Katalogový list

Parametrický ekvivalent


Rochester Electronics, LLC
Skladem : 15 905
Jednotková cena : 33,17684 Kč
Katalogový list

Parametrický ekvivalent


Rochester Electronics, LLC
Skladem : 12 107
Jednotková cena : 33,17684 Kč
Katalogový list
N-kanál 200 V 11,8A (Tc) 50W (Tc) Průchozí otvor TO-220F-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FQPF19N20

Číslo produktu DigiKey
FQPF19N20-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FQPF19N20
Popis
MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 200 V 11,8A (Tc) 50W (Tc) Průchozí otvor TO-220F-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FQPF19N20 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
150mOhm při 5,9A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1600 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
50W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220F-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Skladové zásoby Marketplace: 12 107 Zobrazit nyní
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.

Other Suppliers on DigiKey

10 107Skladem
Expedováno od Rochester Electronics, LLC