Name: FQD19N10LTM
Brand: onsemi
SKU: FQD19N10LTMTR-ND
Price: 43.197 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FQD19N10LTM
Číslo produktu DigiKey	FQD19N10LTMTR-ND - Páska a cívka (TR) FQD19N10LTMCT-ND - Řezaná páska (CT) FQD19N10LTMDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FQD19N10LTM
Popis	MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	14 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 15,6A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 18 nC @ 5 V
Řada QFET®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 870 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,5W (Ta), 50W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 155°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-252AA
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 15,6A (Tc)	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 5V, 10V	Základní číslo produktu FQD19N10
Rds zap (max) při Id, Vgs 100mOhm při 7,8A, 10V