Name: FDS6680A
Brand: onsemi
SKU: FDS6680ATR-ND
Price: 39.3855 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDS6680A
Číslo produktu DigiKey	FDS6680ATR-ND - Páska a cívka (TR) FDS6680ACT-ND - Řezaná páska (CT) FDS6680ADKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDS6680A
Popis	MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 12,5A (Ta) 2,5W (Ta) Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDS6680A Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 23 nC @ 5 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1620 pF @ 15 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,5W (Ta)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 155°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SOIC
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 12,5A (Ta)	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu FDS6680
Rds zap (max) při Id, Vgs 9,5mOhm při 12,5A, 10V