Name: FQB22P10TM
Brand: onsemi
SKU: FQB22P10TMTR-ND
Price: 74.4392 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FQB22P10TM
Číslo produktu DigiKey	FQB22P10TMTR-ND - Páska a cívka (TR) FQB22P10TMCT-ND - Řezaná páska (CT) FQB22P10TMDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FQB22P10TM
Popis	MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	10 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 100 V 22A (Tc) 3,75W (Ta), 125W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 50 nC @ 10 V
Řada QFET®	Vgs (max) ±30V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1500 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 3,75W (Ta), 125W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-263 (D2PAK)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 22A (Tc)	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu FQB22P10
Rds zap (max) při Id, Vgs 125mOhm při 11A, 10V