N-kanál 500 V 13,5A (Tc) 218W (Tc) Průchozí otvor TO-3P
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FQA13N50C

Číslo produktu DigiKey
FQA13N50C-ND
Výrobce
onsemi
Číslo produktu výrobce
FQA13N50C
Popis
MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 500 V 13,5A (Tc) 218W (Tc) Průchozí otvor TO-3P
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FQA13N50C Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
onsemi
Řada
QFET®
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
500 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
13,5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
480mOhm při 6,75A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2055 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
218W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-3P
Pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základní číslo produktu
FQA1
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí.
Nezrušitelné/nevratné