FGA20N120FTDTU je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 25
Jednotková cena : 4,58000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 60
Jednotková cena : 5,81000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 180
Jednotková cena : 8,45000 Kč
Katalogový list
IGBT Trench Zarážka signálu 1200 V 40 A 298 W Průchozí otvor TO-3P
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FGA20N120FTDTU

Číslo produktu DigiKey
FGA20N120FTDTUFS-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FGA20N120FTDTU
Popis
IGBT TRENCH FS 1200V 40A TO-3P
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
IGBT Trench Zarážka signálu 1200 V 40 A 298 W Průchozí otvor TO-3P
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FGA20N120FTDTU Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
onsemi
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru IGBT
Trench Zarážka signálu
Průrazné napětí kolektor - emitor (max)
1200 V
Proud kolektoru (Ic) (max)
40 A
Pulzní proud kolektoru (Icm)
60 A
Vce(zap) (max) při Vge, Ic
2V při 15V, 20A
Výkon - max
298 W
Spínací energie
-
Typ vstupu
Standardní
Náboj hradla
137 nC
Td (zap/vyp) při 25°C
-
Zkušební podmínka
-
Doba zpětného zotavení (trr)
447 ns
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže
Průchozí otvor
Pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Dodávaná velikost pouzdra
TO-3P
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.