FGA20N120FTDTU je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 21
Jednotková cena : 120,75000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 325
Jednotková cena : 165,18000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 137
Jednotková cena : 240,46000 Kč
Katalogový list
IGBT Trench Zarážka signálu 1200 V 40 A 298 W Průchozí otvor TO-3P
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FGA20N120FTDTU

Číslo produktu DigiKey
FGA20N120FTDTUFS-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FGA20N120FTDTU
Popis
IGBT TRENCH FS 1200V 40A TO-3P
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
IGBT Trench Zarážka signálu 1200 V 40 A 298 W Průchozí otvor TO-3P
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FGA20N120FTDTU Modely
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Výkon - max
298 W
Výrobce
onsemi
Typ vstupu
Standardní
Balení
Trubice
Náboj hradla
137 nC
Stav součásti
Zastaralé
Doba zpětného zotavení (trr)
447 ns
Typ tranzistoru IGBT
Trench Zarážka signálu
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Průrazné napětí kolektor - emitor (max)
1200 V
Způsob montáže
Průchozí otvor
Proud kolektoru (Ic) (max)
40 A
Pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Pulzní proud kolektoru (Icm)
60 A
Dodávaná velikost pouzdra
TO-3P
Vce(zap) (max) při Vge, Ic
2V při 15V, 20A
Základní číslo produktu
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (3)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
GT40QR21(STA1,E,DToshiba Semiconductor and Storage21264-GT40QR21(STA1ED-ND120,75000 KčSimilar
IXYH20N120C3IXYS325IXYH20N120C3-ND165,18000 KčSimilar
IXYH20N120C3D1IXYS137IXYH20N120C3D1-ND240,46000 KčSimilar
Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.