Name: GT40QR21(STA1,E,D
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-GT40QR21(STA1ED-ND
Price: 134.9997 CZK
Availability: InStock

IGBT 1200 V 40 A 230 W Průchozí otvor TO-3P(N)

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GT40QR21(STA1,E,D
Číslo produktu DigiKey	264-GT40QR21(STA1ED-ND
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	GT40QR21(STA1,E,D
Popis	IGBT 1200V 40A TO-3P
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	IGBT 1200 V 40 A 230 W Průchozí otvor TO-3P(N)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory IGBT Jednoduché tranzistory IGBT
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru IGBT	-
Průrazné napětí kolektor - emitor (max)	1200 V
Proud kolektoru (Ic) (max)	40 A
Pulzní proud kolektoru (Icm)	80 A
Vce(zap) (max) při Vge, Ic	2,7V při 15V, 40A
Výkon - max	230 W
Spínací energie	-, 290µJ (vyp.)
Typ vstupu	Standardní
Td (zap/vyp) při 25°C	-
Zkušební podmínka	280V, 40A, 10Ohm, 20V
Doba zpětného zotavení (trr)	600 ns
Provozní teplota	175°C (TJ)
Způsob montáže	Průchozí otvor
Pouzdro	TO-3P-3, SC-65-3
Dodávaná velikost pouzdra	TO-3P(N)
Základní číslo produktu	GT40QR21

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 25

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	111,57000 Kč	111,57 Kč
25	64,55600 Kč	1 613,90 Kč
100	53,31540 Kč	5 331,54 Kč
500	44,31910 Kč	22 159,55 Kč
1 000	43,44194 Kč	43 441,94 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.