Name: GT40QR21(STA1,E,D
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-GT40QR21(STA1ED-ND
Price: 133.4267 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GT40QR21(STA1,E,D
Číslo produktu DigiKey	264-GT40QR21(STA1ED-ND
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	GT40QR21(STA1,E,D
Popis	IGBT 1200V 40A TO-3P
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	IGBT 1200 V 40 A 230 W Průchozí otvor TO-3P(N)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory IGBT Jednoduché tranzistory IGBT
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru IGBT	-
Průrazné napětí kolektor - emitor (max)	1200 V
Proud kolektoru (Ic) (max)	40 A
Pulzní proud kolektoru (Icm)	80 A
Vce(zap) (max) při Vge, Ic	2,7V při 15V, 40A
Výkon - max	230 W
Spínací energie	-, 290µJ (vyp.)
Typ vstupu	Standardní
Td (zap/vyp) při 25°C	-
Zkušební podmínka	280V, 40A, 10Ohm, 20V
Doba zpětného zotavení (trr)	600 ns
Provozní teplota	175°C (TJ)
Způsob montáže	Průchozí otvor
Pouzdro	TO-3P-3, SC-65-3
Dodávaná velikost pouzdra	TO-3P(N)
Základní číslo produktu	GT40QR21

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 27

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	110,27000 Kč	110,27 Kč
25	63,80800 Kč	1 595,20 Kč
100	52,69740 Kč	5 269,74 Kč
500	43,80536 Kč	21 902,68 Kč
1 000	42,93838 Kč	42 938,38 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.