Name: FDS86267P
Brand: onsemi
SKU: FDS86267PTR-ND
Price: 62.7627 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDS86267P
Číslo produktu DigiKey	FDS86267PTR-ND - Páska a cívka (TR) FDS86267PCT-ND - Řezaná páska (CT) FDS86267PDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDS86267P
Popis	MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 150 V 2,2A (Ta) 1W (Ta) Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDS86267P Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 16 nC @ 10 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±25V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1130 pF @ 75 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 1W (Ta)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 150 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SOIC
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 2,2A (Ta)	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Základní číslo produktu FDS86267
Rds zap (max) při Id, Vgs 255mOhm při 2,2A, 10V