Name: FDS6670A
Brand: onsemi
SKU: FDS6670ATR-ND
Price: 34.1341 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDS6670A
Číslo produktu DigiKey	FDS6670ATR-ND - Páska a cívka (TR) FDS6670ACT-ND - Řezaná páska (CT) FDS6670ADKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDS6670A
Popis	MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 13A (Ta) 2,5W (Ta) Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDS6670A Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	PowerTrench®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Datum posledního nákupu
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	13A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	8mOhm při 13A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	30 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2220 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 155°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOIC
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Základní číslo produktu	FDS6670