FDS4435BZ-F085 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 13 790
Jednotková cena : 26,04000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 5 293
Jednotková cena : 24,15000 Kč
Katalogový list

Similar


Panjit International Inc.
Skladem : 1 170
Jednotková cena : 18,48000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 1 324
Jednotková cena : 39,06000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 4 215
Jednotková cena : 39,06000 Kč
Katalogový list
P-kanál 30 V 8,8A (Ta) 2,5W (Ta) Montáž na povrch 8-SOIC
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDS4435BZ-F085

Číslo produktu DigiKey
FDS4435BZ-F085TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FDS4435BZ-F085
Popis
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
P-kanál 30 V 8,8A (Ta) 2,5W (Ta) Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FDS4435BZ-F085 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
20mOhm při 8,8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1845 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
2,5W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
8-SOIC
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.
Nezrušitelné/nevratné