FDP12N50 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 2 318
Jednotková cena : 40,84000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 243
Jednotková cena : 106,51000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 69
Jednotková cena : 101,67000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 803
Jednotková cena : 65,04000 Kč
Katalogový list
TO-220-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDP12N50

Číslo produktu DigiKey
FDP12N50-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FDP12N50
Popis
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 500 V 11,5A (Tc) 165W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FDP12N50 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
500 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
650mOhm při 6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1315 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
165W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.