


FDP047N10 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | FDP047N10-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | FDP047N10 |
Popis | MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3 |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 210 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 15265 pF @ 25 V |
Stav součásti Zastaralé | Rozptylový výkon (Max) 375W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V | Dodávaná velikost pouzdra TO-220-3 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 4,7mOhm při 75A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| DMTH10H005LCT | Diodes Incorporated | 40 | DMTH10H005LCT-ND | 3,02000 Kč | Similar |
| IPP048N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 131 | IPP048N12N3GXKSA1-ND | 4,48000 Kč | Similar |
| IRF100B201 | Infineon Technologies | 0 | IRF100B201-ND | 2,63000 Kč | Similar |
| STP150N10F7 | STMicroelectronics | 1 048 | 497-14570-5-ND | 3,35000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 113,81000 Kč | 113,81 Kč |
| 50 | 59,71420 Kč | 2 985,71 Kč |
| 100 | 54,48980 Kč | 5 448,98 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 113,81000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 137,71010 Kč |

