Name: FDMS8D8N15C
Brand: onsemi
SKU: 488-FDMS8D8N15CTR-ND
Price: 6.2073 USD
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDMS8D8N15C
Číslo produktu DigiKey	488-FDMS8D8N15CTR-ND - Páska a cívka (TR) 488-FDMS8D8N15CCT-ND - Řezaná páska (CT) 488-FDMS8D8N15CDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDMS8D8N15C
Popis	MOSFET N-CH 150V 12.2A/85A 8PQFN
Standardní dodací lhůta výrobce	46 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 12,2A (Ta), 85A (Tc) 2,7W (Ta), 132W (Tc) Montáž na povrch 8-PQFN (5x6)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 50 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3600 pF @ 75 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 2,7W (Ta), 132W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 150 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 12,2A (Ta), 85A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 8-PQFN (5x6)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 8V, 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 8,8mOhm při 45A, 10V	Základní číslo produktu FDMS8