FDMB3800N onsemi | Pole FET, MOSFET

FDMB3800N je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

Renesas Electronics Corporation

Skladem : 7 805

Jednotková cena : 1,62000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDMB3800N
Číslo produktu DigiKey	FDMB3800NTR-ND - Páska a cívka (TR) FDMB3800NCT-ND - Řezaná páska (CT) FDMB3800NDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDMB3800N
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 4,8A 750mW Montáž na povrch 8-MLP, MicroFET (3x1,9)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 40mOhm při 4,8A, 10V
Výrobce onsemi	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Řada PowerTrench®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 5,6nC při 5V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 465pF při 15V
Stav součásti Zastaralé	Výkon - max 750mW
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 8-PowerWDFN
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V	Dodávaná velikost pouzdra 8-MLP, MicroFET (3x1,9)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 4,8A	Základní číslo produktu FDMB3800