Name: FDC6561AN
Brand: onsemi
SKU: FDC6561ANTR-ND
Price: 25.6641 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDC6561AN
Číslo produktu DigiKey	FDC6561ANTR-ND - Páska a cívka (TR) FDC6561ANCT-ND - Řezaná páska (CT) FDC6561ANDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDC6561AN
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 2,5A 700mW Montáž na povrch SuperSOT™-6
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDC6561AN Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 95mOhm při 2,5A, 10V
Výrobce onsemi	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Řada PowerTrench®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 3,2nC při 5V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 220pF při 15V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 700mW
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V	Dodávaná velikost pouzdra SuperSOT™-6
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 2,5A	Základní číslo produktu FDC6561