


FDI150N10 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | FDI150N10OS-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | FDI150N10 |
Popis | MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK |
Standardní dodací lhůta výrobce | 22 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 100 V 57A (Tc) 110W (Tc) Průchozí otvor TO-262 (I2PAK) |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | FDI150N10 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 100 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 16mOhm při 49A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4,5V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 69 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 4760 pF @ 25 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 110W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Průchozí otvor | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-262 (I2PAK) | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 76,43000 Kč | 76,43 Kč |
| 50 | 38,61120 Kč | 1 930,56 Kč |
| 100 | 34,94280 Kč | 3 494,28 Kč |
| 500 | 28,51528 Kč | 14 257,64 Kč |
| 1 000 | 26,45055 Kč | 26 450,55 Kč |
| 2 000 | 25,03224 Kč | 50 064,48 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 76,43000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 92,48030 Kč |



