FDG6335N onsemi | Diskrétní polovodičové produkty

FDG6335N je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

onsemi

Skladem : 56 437

Jednotková cena : 9,68000 Kč

Similar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Skladem : 0

Jednotková cena : 2,32231 Kč

Similar

Nexperia USA Inc.

Skladem : 6 000

Jednotková cena : 13,26000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDG6335N
Číslo produktu DigiKey	FDG6335NTR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDG6335N
Popis	MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 20V 700mA 300mW Montáž na povrch SC-88 (SC-70-6)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	onsemi
Řada	PowerTrench®
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Zastaralé
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	700mA
Rds zap (max) při Id, Vgs	300mOhm při 700mA, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	1,4nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	113pF při 10V
Výkon - max	300mW
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Dodávaná velikost pouzdra	SC-88 (SC-70-6)
Základní číslo produktu	FDG6335