Name: SI1902CDL-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1902CDL-T1-GE3TR-ND
Price: 8.8209 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI1902CDL-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI1902CDL-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI1902CDL-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI1902CDL-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI1902CDL-T1-GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC70-6
Standardní dodací lhůta výrobce	10 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 20V 1,1A 420mW Montáž na povrch SC-70-6
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI1902CDL-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	1,1A
Rds zap (max) při Id, Vgs	235mOhm při 1A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	3nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	62pF při 10V
Výkon - max	420mW
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Dodávaná velikost pouzdra	SC-70-6
Základní číslo produktu	SI1902