P-kanál 20 V 3A (Ta) 1,4W (Ta) Montáž na povrch MicroFET 2x2 tenký
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
P-kanál 20 V 3A (Ta) 1,4W (Ta) Montáž na povrch MicroFET 2x2 tenký
Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview

FDFMA2P859T

Číslo produktu DigiKey
FDFMA2P859TTR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
onsemi
Číslo produktu výrobce
FDFMA2P859T
Popis
MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
P-kanál 20 V 3A (Ta) 1,4W (Ta) Montáž na povrch MicroFET 2x2 tenký
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
onsemi
Řada
PowerTrench®
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
P-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
3A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
1,8V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs
120mOhm při 3A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id
1,3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
435 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET
Schottkyho dioda (samostatná)
Rozptylový výkon (Max)
1,4W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
MicroFET 2x2 tenký
Pouzdro
6-UDFN podložka pro odvod tepla
Základní číslo produktu
FDFMA2
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí.