FDD8880 onsemi | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDD8880
Číslo produktu DigiKey	FDD8880TR-ND - Páska a cívka (TR) FDD8880CT-ND - Řezaná páska (CT) FDD8880DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDD8880
Popis	MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 13A (Ta), 58A (Tc) 55W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDD8880 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 31 nC @ 10 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1260 pF @ 15 V
Stav součásti Zastaralé	Rozptylový výkon (Max) 55W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 155°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-252AA
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 13A (Ta), 58A (Tc)	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu FDD888
Rds zap (max) při Id, Vgs 9mOhm při 35A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (3)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
PJD55N03_L2_00001	Panjit International Inc.	0	3757-PJD55N03_L2_00001TR-ND	4,11729 Kč	Similar
STD70NS04ZL	STMicroelectronics	0	497-10411-2-ND	13,97602 Kč	Similar
XP3N9R5AH	YAGEO XSEMI	987	5048-XP3N9R5AHCT-ND	12,60000 Kč	Similar