Name: XP3N9R5AH
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3N9R5AHTR-ND
Price: 15.246 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

XP3N9R5AH
Číslo produktu DigiKey	5048-XP3N9R5AHTR-ND - Páska a cívka (TR) 5048-XP3N9R5AHCT-ND - Řezaná páska (CT) 5048-XP3N9R5AHDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	YAGEO XSEMI
Číslo produktu výrobce	XP3N9R5AH
Popis	MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 38,5A (Ta) 2W (Ta), 22,7W (Tc) Montáž na povrch TO-252
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 9,5mOhm při 20A, 10V
Mfr YAGEO XSEMI	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Řada XP3N9R5A	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 14.4 nC @ 4.5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1280 pF @ 15 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 2W (Ta), 22,7W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 38,5A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra TO-252
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63