FDD86580-F085 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


onsemi
Skladem : 2 073
Jednotková cena : 35,49000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 317 454
Jednotková cena : 27,51000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 159
Jednotková cena : 21,42000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 0
Jednotková cena : 6,40271 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 3 192
Jednotková cena : 31,29000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 1 941
Jednotková cena : 39,27000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 10 010
Jednotková cena : 41,16000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 1 742
Jednotková cena : 53,54000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 16 026
Jednotková cena : 54,59000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 3 794
Jednotková cena : 50,19000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 47,46000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 42 632
Jednotková cena : 45,78000 Kč
Katalogový list

Similar


Taiwan Semiconductor Corporation
Skladem : 97 255
Jednotková cena : 30,24000 Kč
Katalogový list
N-kanál 60 V 50A (Tc) 75W (Tj) Montáž na povrch TO-252AA
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 60 V 50A (Tc) 75W (Tj) Montáž na povrch TO-252AA
TO-252AA

FDD86580-F085

Číslo produktu DigiKey
FDD86580-F085TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FDD86580-F085
Popis
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 60 V 50A (Tc) 75W (Tj) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
30 nC @ 10 V
Mfr
Vgs (max)
±20V
Řada
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1430 pF @ 30 V
Balení
Páska a cívka (TR)
Rozptylový výkon (Max)
75W (Tj)
Stav součásti
Zastaralé
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET
Třída
Automobilový průmysl
Technologie
Kvalifikace
AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
60 V
Způsob montáže
Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Dodávaná velikost pouzdra
TO-252AA
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Pouzdro
Rds zap (max) při Id, Vgs
19mOhm při 50A, 10V
Základní číslo produktu
Vgs(th) (max) při Id
4,2V při 250µA
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (13)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
NVMYS9D3N06CLTWGonsemi2 073488-NVMYS9D3N06CLTWGCT-ND35,49000 KčMFR Recommended
AOD442Alpha & Omega Semiconductor Inc.317 454785-1107-1-ND27,51000 KčSimilar
DMN6017SK3-13Diodes Incorporated15931-DMN6017SK3-13CT-ND21,42000 KčSimilar
DMNH6021SK3-13Diodes Incorporated0DMNH6021SK3-13-ND6,40271 KčSimilar
DMNH6021SK3Q-13Diodes Incorporated3 192DMNH6021SK3Q-13DICT-ND31,29000 KčSimilar
Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.