Name: IPD30N08S2L21ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD30N08S2L21ATMA1TR-ND
Price: 23.9459 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPD30N08S2L21ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPD30N08S2L21ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPD30N08S2L21ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPD30N08S2L21ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD30N08S2L21ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Standardní dodací lhůta výrobce	9 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 75 V 30A (Tc) 136W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3-11
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD30N08S2L21ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	75 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	30A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	20,5mOhm při 25A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 80µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1650 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	136W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO252-3-11
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	IPD30N08