Name: IPD30N08S2L21ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD30N08S2L21ATMA1TR-ND
Price: 66.0539 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPD30N08S2L21ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPD30N08S2L21ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPD30N08S2L21ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPD30N08S2L21ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD30N08S2L21ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 75 V 30A (Tc) 136W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3-11
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD30N08S2L21ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 72 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Řada OptiMOS™	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1650 pF @ 25 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 136W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 75 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 30A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO252-3-11
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Rds zap (max) při Id, Vgs 20,5mOhm při 25A, 10V	Základní číslo produktu IPD30N08
Vgs(th) (max) při Id 2V při 80µA